广东致能半导体近日对外宣布，将于2025年11月与国际知名8英寸晶圆厂合作，实现全球首个8英寸蓝宝石基氮化镓功率器件的量产。这一突破标志着氮化镓技术在基底材料应用领域迈出关键一步，为功率半导体行业带来新的发展机遇。
作为国内第三代半导体领域的领军企业，致能半导体自2018年成立以来，始终专注于氮化镓功率器件的研发与产业化。公司构建了完整的IDM（设计-制造-封装）体系，核心业务涵盖硅基氮化镓芯片及其共封装器件的研发、生产与销售。目前，其产品矩阵已包含TO247、TOLL、PQFN56等多种封装类型，并成功完成硅基氮化镓高功率大电压常开平面元器件的研发与交付。
在技术创新方面，致能半导体持续突破行业瓶颈。今年7月，公司CEO黎子兰博士在瑞典举办的国际氮化物半导体会议上，首次公开了硅基垂直GaN HEMT功率器件技术。该技术通过在硅衬底上实现垂直GaN/AlGaN结构生长与二维电子气沟道构建，成功开发出全球首个垂直常开、常关双类型器件。其中，常关器件的阈值电压突破4V，凭借原创性技术优势获得国际学术界广泛关注。
制造工艺层面，致能半导体通过引入行业领先的制造流程与创新技术平台，使产品在芯片尺寸、生产成本、电学性能及制造一致性等核心指标上全面领先竞争对手。此次8英寸蓝宝石基氮化镓器件的量产计划，正是其技术优势向规模化生产转化的重要体现。
资本市场的认可为致能半导体的发展提供了强劲动力。公司已完成从种子轮到C轮的多轮融资，投资方阵容涵盖知名风险投资机构、产业基金及头部企业创投。今年1月的C轮融资中，高榕资本、博世创投、深创投等机构的加入，为公司产能扩张与供应链优化提供了关键支持，恰逢其氮化镓器件量产推进的关键阶段。
