ASML首席执行官克里斯托夫・富凯（Christophe Fouquet）近日在公司总部接受媒体专访时透露，High NA极紫外（EUV）光刻机的商业化进程正按计划推进，预计将于2027至2028年间全面应用于先进芯片制造的大规模量产。这一技术突破被视为半导体行业迈向更小制程节点的关键一步。
据富凯介绍，英特尔代工部门在导入新一代光刻技术方面表现最为积极。其基于High NA EUV的Intel 14A制程节点已确定于2027年正式投产，这将成为全球首个采用该技术的商业化芯片制造平台。目前，英特尔等早期客户正在对设备进行密集测试，初步结果显示新设备的成像精度与分辨率均达到预期标准。
针对设备稳定性问题，富凯透露ASML已将2026年的重点工作之一设定为优化设备运行效率。通过与客户的深度协作，技术团队计划将设备停机时间压缩至最低水平，确保量产阶段的持续稳定输出。这一举措被视为突破技术商业化瓶颈的关键环节。
在谈及长期技术规划时，富凯证实ASML已启动下一代Hyper NA EUV光刻机的预研工作。这项面向2030年代的技术储备，旨在为更先进的芯片制造工艺提供设备支持。尽管具体参数尚未公开，但业内普遍认为该技术将推动半导体制造进入全新维度。
