存储芯片行业正经历新一轮价格飙升，全球市场格局面临重塑。据市场研究机构Counterpoint Research最新报告，内存市场已进入“超级牛市”，当前价格水平突破2018年峰值，创近八年新高。受全球存储芯片持续缺货影响，2026年第一季度服务器DRAM价格预计上涨60%-70%，通用型DRAM价格环比涨幅达55%-60%。这一行情直接推动美股存储企业美光、闪迪股价连续走高，A股兆易创新、普冉股份等企业股价同步波动上扬。
行业焦点转向总资产超3000亿元的长鑫科技，其IPO申请近日获受理。财务数据显示，2022年至2025年前三季度，该公司累计亏损达434.25亿元，但受益于存储芯片价格持续上涨，预计2025年净利润将转正至20亿-35亿元。若2026年产品均价维持2025年9月水平，企业有望实现持续盈利。这一预期与全球存储巨头动态形成呼应：三星电子、SK海力士近期宣布将服务器DRAM合约价上调60%-70%，进一步推高市场价格预期。
作为中国大陆唯一实现DRAM规模化量产的企业，长鑫科技自2016年成立便直指被海外企业垄断的DRAM领域。经过九年发展，其产品已覆盖DDR4、DDR5、LPDDR5等主流系列，形成晶圆、芯片、模组完整解决方案。Omdia数据显示，按产能和出货量计算，长鑫科技已跃居中国第一、全球第四大DRAM厂商。2019年，该公司成功量产19纳米工艺DDR4内存芯片，实现中国大陆DRAM产业“从0到1”的突破。
技术突破背后是巨额投入。2022年至2025年前三季度，长鑫科技营收从82.87亿元增至320.84亿元，但同期净利润亏损分别为91.71亿元、192.24亿元、90.5亿元和59.80亿元。尽管亏损幅度逐年收窄，企业仍面临严峻挑战：2025年第二季度全球DRAM市场份额仅3.97%，与头部企业差距显著；盈利高度依赖行业周期，自主造血能力待验证；技术迭代加速要求持续投入，2022年至2025年上半年研发投入累计达188.67亿元。
本轮涨价周期由多重因素驱动。AI数据中心建设激增带来存储需求爆发，传统数据中心存储成本占IT支出20%-30%，而AI训练对随机读写性能的极高要求，推动存储芯片向大容量、高带宽方向升级。产业端动作加剧供应紧张：2024年10月三星停产小容量eMMC核心组件，2025年5月明确停产DDR4，2025年9月美光暂停DDR5报价并提价20%-30%，涨价信号逐级传导至消费市场。国金证券预测，2026年DRAM位元供应量增幅约15%-20%，需求增速将达20%-25%，供需缺口将持续支撑价格上涨。
资本市场已对行业变革作出反应。美国存储企业闪迪自2025年2月重返公开市场以来，股价全年涨幅达559%，领跑标普500指数。国内市场方面，摩尔线程、沐曦科技上市后的暴涨，反映资本市场对AI核心硬件的估值重构。长鑫科技作为AI数据存储的关键供应商，其DRAM产品直接支撑大模型训练的存储需求——模型参数量越大，对存储芯片的容量和带宽要求越高。在国产替代战略背景下，这家承载本土供应链安全使命的企业，有望通过国内市场实现份额提升，但其长期价值仍取决于技术壁垒突破和市场份额扩张能力。
