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SK海力士高盛电话会:AI需求与供应瓶颈推动 存储行业迈入卖方市场价格看涨

2026-02-22来源:快讯编辑:瑞雪

在近期一场面向全球投资者的线上交流活动中,全球存储芯片巨头SK海力士向高盛集团释放了重要行业信号。据公司管理层透露,当前存储芯片市场已彻底转向供应主导格局,AI算力需求激增与洁净室产能限制的双重作用,正推动存储产品价格进入持续上行通道。这一判断基于当前DRAM及NAND闪存库存水平已降至历史低位,公司现有库存仅能维持约四周的客户交付需求。

行业分析指出,HBM(高带宽内存)的供需失衡正在重塑整个存储市场格局。随着2026年HBM产能被提前锁定,标准型DRAM产品出现结构性短缺,供应商在价格谈判中的话语权显著增强。产业链消息显示,多家下游企业已启动长期供应协议谈判,试图通过锁定未来产能应对可能出现的供应危机。这种供需错配在AI服务器、数据中心等高端应用领域表现得尤为突出。

SK海力士在交流中明确表示,即便采取产能最大化策略,今年仍无法完全满足所有客户的订单需求。公司特别指出,AI训练所需的超大容量存储芯片需求远超预期,而洁净室建设周期长、设备调试复杂等客观因素,进一步加剧了供应紧张局面。这种局面在HBM3E等新一代产品上尤为明显,其单位面积存储密度较前代提升40%,但良率爬坡速度难以匹配需求增长。

市场研究机构数据显示,2024年第一季度DRAM合约价已较去年同期上涨23%,NAND闪存价格涨幅达18%。这种涨价趋势在第二季度呈现加速态势,部分企业级SSD产品报价单周涨幅超过5%。行业观察家认为,随着英伟达GB200等新一代AI芯片量产,HBM3E需求将在下半年出现指数级增长,可能引发新一轮涨价潮。

供应链消息显示,三星、美光等主要厂商已同步调整产能分配,将更多资源转向高毛利产品。这种策略性调整导致消费级存储产品供应进一步收紧,笔记本电脑、智能手机等终端产品可能面临成本压力。部分PC厂商已开始考虑采用QLC NAND替代TLC方案,以缓解成本上涨带来的利润挤压。

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