杭州镓仁半导体有限公司近日宣布，其自主研发的全球首条6/8英寸氧化镓同质外延量产线已正式投入运营，并开始向头部芯片企业批量供货。这一突破标志着我国在超宽禁带半导体材料领域实现了从实验室到产业化的关键跨越，为下一代功率电子器件的国产化替代奠定了基础。
在晶体生长环节，该公司独创的铸造法技术突破了传统工艺的局限，成功培育出厚度达国际领先水平的氧化镓单晶。通过配套开发的超薄衬底加工工艺，单片衬底出片量较传统方法提升3至4倍，同时将贵金属铱的消耗量降低80%以上，使衬底成本下降超八成。这项技术革新不仅解决了材料成本高企的难题，更为下游器件制造商提供了更具竞争力的解决方案。
外延工艺方面，技术团队针对氧化镓（100）晶面的特性，优化了金属有机化学气相沉积（MOCVD）的关键参数，开发出特色外延生长方案。目前量产的6英寸外延片厚度超过10微米，膜厚均匀性控制在1%以内，各项指标均达到国际商用标准。作为全球首个实现6英寸氧化镓同质外延商业化的企业，镓仁半导体已建立起从单晶生长到外延片制造的完整技术体系。
此前，氧化镓材料产业面临尺寸受限、产能不足、均匀性差等瓶颈，难以满足电力电子、新能源汽车等领域对高性能器件的需求。镓仁半导体通过构建"单晶-衬底-外延"全流程稳定生产能力，成功打破技术壁垒。其8英寸氧化镓单晶及外延片的国际首发，更将我国在该领域的技术水平推向全球前列。目前，海外多家知名企业及科研机构已与该公司建立长期合作关系，批量采购订单持续增加。
公开资料显示，这家成立于杭州的科技企业专注于超宽禁带半导体材料的研发与产业化，已形成覆盖2-8英寸氧化镓单晶、衬底、外延片及专用长晶设备的完整产品线。其自主研发的垂直布里奇曼法（VB法）长晶设备，为氧化镓材料规模化生产提供了关键装备支撑，构建起从设备到应用的全链条创新生态。
