在近日举行的长鑫科技集团股份有限公司网上投资者交流会上，公司董事长朱一明就集成电路产业及DRAM芯片发展发表了重要观点。他指出，集成电路作为支撑经济社会发展的战略性产业，DRAM芯片作为数字经济时代的核心内存组件，是信息基础设施的关键基石。基于补齐产业短板、保障供应链安全的战略考量，长鑫科技选择了一条高投入、长周期的自主研发道路，未来将持续加大技术研发投入，推动工艺与产品迭代升级。
针对投资者关于公司上市后如何传递长期价值的提问，朱一明表示，长鑫科技将以"存储科技赋能信息社会"为使命，通过持续的技术积累与产品创新夯实核心竞争力。公司计划加速产能布局，拓展多元化产品矩阵，同时强化人才梯队建设和运营管理体系，最终实现技术领先与商业成功的双重目标。在回应折旧压力时，他坦言作为IDM模式厂商，公司正处于产能快速扩张阶段，2023至2025年固定资产折旧预计分别达105.55亿元、148.75亿元和246.8亿元，但这种阶段性亏损符合行业规律，随着产能释放和精益管理，盈利拐点已获财务数据验证。
关于行业周期波动应对策略，朱一明透露公司已构建多重防护体系。目前长鑫科技在合肥、北京运营三座12英寸DRAM晶圆厂，产能规模位居中国首位、全球第四。通过持续工艺迭代，公司技术差距正快速缩小，更先进平台已进入量产阶段。在市场策略上，公司通过优化产品结构、扩大长协订单覆盖面、实施全流程降本增效等措施，有效平滑周期波动。数据显示，报告期内公司产品销售保持高速增长态势。
面对投资者对海外同业亏损案例的关注，朱一明强调长鑫科技已形成独特竞争优势。公司不仅在产能规模上实现突破，更通过"研发-量产-迭代"的闭环管理，确保每代工艺平台都能快速转化为市场竞争力。随着新增产能持续释放，配合精细化运营策略，公司有信心在行业周期波动中保持稳健发展态势，为投资者创造可持续价值回报。
