长江存储科技有限责任公司近日通过官方渠道发布声明，针对近期网络流传的关于公司专利诉讼及资本市场的不实信息予以澄清。声明指出，部分网络用户及自媒体账号恶意编造并传播“美国专利商标局裁定长江存储核心3D NAND专利全部无效”等误导性内容，同时将相关概念股波动与上述虚假信息关联，严重偏离事实真相。
根据声明披露，2023年11月，长江存储已在美国对美光科技公司提起专利侵权诉讼，涉及27项专利及295项权利主张，目前案件仍在审理阶段。公司强调，网络传言中关于专利无效的裁定并不存在，相关诉讼进展应以官方渠道信息为准。针对恶意传播行为，长江存储明确表示将依法追究涉事单位及个人的法律责任，并要求相关平台立即停止传播失实内容。
在资本市场动态方面，长江存储控股股份有限公司于今年5月正式启动IPO辅导程序。中国证监会官网显示，辅导机构已于7月10日提交首期工作进展报告。作为存储器领域的重要企业，长存控股采用IDM模式运营，业务覆盖芯片设计、制造、封装测试及系统解决方案全链条，注册资本达178.2亿元。其第一大股东湖北长晟发展有限责任公司持股比例为26.5442%，公司无实际控股股东。
全资子公司长江存储科技有限责任公司专注于3D NAND闪存技术研发，产品包括晶圆、颗粒、嵌入式存储芯片及消费级、企业级固态硬盘，广泛应用于移动通信、计算机、数据中心等领域。为进一步扩大产能优势，2025年9月，长江存储与湖北长晟三期共同投资207.2亿元成立长存三期（武汉）集成电路有限责任公司，项目建成后将显著提升3D NAND闪存芯片的生产规模，强化企业应对市场需求的能力。目前，该项目建设已进入加速推进阶段。
