国产DRAM领军企业长鑫科技正式启动科创板上市进程，其招股意向书及初步询价安排已向公众披露。根据公告，公司计划于2026年7月16日同步开启网下与网上申购，证券代码设定为“688825”，网下申购沿用该代码，而网上申购则采用“787825”。这一消息迅速在资本市场引发连锁反应，A股半导体板块在开盘后即呈现强劲上扬态势，多只相关个股涨停或大幅上涨，存储芯片、先进封装等细分领域全线飘红。
长鑫科技自2016年成立以来，始终专注于DRAM的研发、设计与制造，总部位于安徽合肥。作为国内规模最大、技术最先进的IDM模式企业，其业务覆盖从晶圆制造到终端产品的全链条。公司创始人朱一明曾创立兆易创新，后者现为长鑫科技股东之一。根据权威机构Omdia的数据，长鑫科技已跃居中国DRAM市场首位，全球排名第四，其产能、出货量及销售额均位居行业前列。技术层面，公司通过“跳代研发”策略，实现了从第一代到第四代工艺平台的量产，产品矩阵涵盖DDR4、LPDDR4X至DDR5、LPDDR5/5X，核心技术与国际顶尖水平接轨。
财务数据显示，长鑫科技近期业绩呈现爆发式增长。2026年上半年，公司预计实现营业收入1100亿至1200亿元，同比增长超6倍；归母净利润预计达500亿至570亿元，同比增幅超过22倍。以中位数计算，公司已彻底扭转此前亏损局面，实现盈利。今年一季度单季营收即达508亿元，同比增长719%，超过2025年全年营收的八成，展现出强劲的增长动能。
此次IPO，长鑫科技计划公开发行66.88亿股（超额配售选择权行使前），占发行后总股本的10%。若全额行使15%的超额配售权，发行规模将扩大至76.91亿股。发行采用战略配售、网下与网上发行相结合的方式，其中战略配售占比达50%。初步询价定于7月13日进行，发行公告将于7月15日发布。募资规模方面，公司拟募集295亿元，主要用于存储器晶圆制造技术升级、DRAM技术迭代及前瞻技术研究，其中130亿元将投向DRAM技术升级项目，90亿元用于动态随机存取存储器的前沿研发。
长鑫科技的上市计划不仅点燃了半导体板块的投资热情，也带动了相关中介机构及参股方的股价表现。7月9日开盘后，券商股集体走高，华安证券直线涨停，招商证券、中信建投等跟涨。市场分析指出，华安证券通过子公司间接参股长鑫科技，在打新中签难度较大的背景下，买入华安证券被视为“变相中签”长鑫科技，成为市场认可其科技股权增值潜力的核心逻辑。联席保荐机构中金公司、中信建投证券，以及国泰海通证券、国元证券等联席主承销商，也因参与此次IPO而受到市场关注。
从全球产业格局来看，长鑫科技的崛起正在重塑DRAM市场的竞争态势。数据显示，2025年第二季度至2026年第一季度，长鑫科技的全球市场份额从3.97%跃升至8%，产能已接近满负荷运行。随着IPO募资到位，公司产能扩张将进入快车道，有分析认为，其有望在2026年底超越美光，成为全球第三大DRAM供应商。市场还传出长鑫科技可能成为苹果新的DRAM供应商，并积极布局HBM与CXL存储器市场，进一步拓展高端应用领域。
长鑫科技董事长在上市进程中释放了长期信心，承诺10年内不减持公司股份，并计划将7.68亿股用于员工激励。作为国产存储芯片的核心资产，长鑫科技的上市不仅标志着中国在DRAM领域取得重大突破，也为资本市场注入了新的活力，其发展前景备受期待。
