国产DRAM存储芯片领域的领军企业长鑫科技，近日成功登陆科创板，以每股8.66元的发行价，募得资金总额高达579.19亿元，一举刷新科创板IPO募资纪录。在全球存储市场长期被国际巨头垄断的背景下，长鑫科技的上市无疑为国内“硬科技”企业树立了新的标杆，对国内存储产业及资本市场均产生了深远影响。
回溯至十年前，长鑫科技的征程始于一场不被看好的产业“豪赌”。2016年5月6日，兆易创新创始人朱一明携核心团队与合肥官方携手，启动了代号“506项目”的国产DRAM攻坚计划。彼时，全球DRAM市场几乎被三星、SK海力士、美光三家企业垄断，国内存储芯片进口支出每年超过千亿元，国产DRAM产业几乎一片空白。
自主创新之路充满挑战。直至2019年，长鑫科技才成功下线中国首颗自主设计、自主制造的DDR4内存芯片，实现了中国DRAM产业“从0到1”的突破。然而，这仅仅是开始，接下来的五年里，公司经历了漫长的投入期，包括产能爬坡、工艺迭代、客户验证等多个环节。
转折点出现在2025年，长鑫科技首次实现全年盈利。据Omdia数据，按产能、出货量和销售额计算，长鑫科技已成为中国第一、全球第四的DRAM厂商，全球市场份额从近乎为零跃升至2025年第四季度的7.67%。这一成就，标志着国产DRAM产业在十年间实现了质的飞跃。
然而，高盈利的背后也隐藏着挑战。DRAM行业具有强周期性，价格波动大，且AI发展对DRAM市场需求的影响存在不确定性。长鑫科技董事长朱一明在上市前的网上路演中坦言，行业周期风险是投资者关注的焦点。数据显示，2015年至2025年，DRAM产品价格波动巨大，高点与谷底价差达数倍。
尽管如此，长鑫科技仍抓住了AI浪潮带来的机遇。2025年下半年以来，AI算力基础设施的扩张成为DRAM产业需求的核心驱动力。单台AI训练服务器的DRAM搭载量是传统服务器的8倍至10倍，预计2026年约66%的DRAM产能将用于AI服务器赛道。供需错位下，通用DRAM合约价大幅上涨，长鑫科技的产能释放叠加行业涨价红利，放大了盈利弹性。
面对市场的质疑，长鑫科技并未止步。公司计划将本轮募集资金投向新一代DRAM产能扩建与HBM高带宽存储技术研发项目，通过技术迭代、产能优化和成本管控提升抗周期能力。朱一明表示，公司将继续推出更新代际产品，提升在全球市场的竞争力。
尽管长鑫科技在全球DRAM市场的份额仍不足10%，与三星、SK海力士、美光等国际巨头存在差距，但其在产品结构、先进制程等方面的追赶步伐从未停歇。现阶段，长鑫科技的主营业务收入仍来自DDR5/LPDDR5等通用产品，但在HBM等高端芯片市场，公司正加大研发投入，努力缩小与海外头部企业的技术差距。
长鑫科技的上市，也吸引了众多优质战略配售投资方的关注。全国社保基金、国家级产业投资基金等长期资本，以及中微公司、澜起科技等半导体产业链公司，和小米、阿里云等下游终端企业均参与了战配。这些产业资本的选择，看重的是供应链自主可控的长期价值。一位投行人士表示，尽管长鑫科技在全球份额上仍显渺小，但回望十年前，这一数值是零。技术代差、产业断点、体系缺口，既是挑战，也是机遇。
