近期，闪存市场迎来新一轮价格波动，部分产品价格涨幅接近40%。根据CFM闪存市场监测数据，1Tb QLC闪存价格攀升至12.50美元，较此前上涨25%；同规格TLC产品价格涨至13美元，涨幅达23.81%；512Gb TLC产品以38.46%的涨幅领跑，单价升至9美元；256Gb TLC产品则上涨14.58%至5.50美元。
在小米集团近日举行的业绩电话会上，公司总裁卢伟冰针对存储成本攀升问题作出回应。他指出，本轮内存价格上涨呈现长期化特征，主要驱动力来自AI技术引发的HBM（高带宽存储器）需求激增，而非传统消费电子行业的周期性波动。为应对供应链压力，小米已与合作伙伴签订2026年全年供应协议，并通过产品升级和价格调整策略缓解成本压力。
作为半导体存储器的核心组成部分，闪存与DRAM形成互补关系。前者采用非易失性技术，断电后仍可保存数据，广泛应用于手机、电脑等设备的存储模块；后者作为动态随机存取存储器，主要用于计算机内存，但数据在断电后会丢失。当前市场主流的NAND闪存以存储单元（Cell）为基本单位，根据每个单元存储的数据位数划分为QLC和TLC两类技术路线。
QLC技术每个存储单元可容纳4位数据，凭借高容量特性成为数据中心和固态硬盘的主流方案；TLC技术每个单元存储3位数据，因成本优势占据消费电子市场主导地位，常见于智能手机、笔记本电脑的固态硬盘及U盘等设备。这两种技术共同支撑起全球存储市场的供需格局。
本轮价格异动源于供需两端的双重挤压。供给端方面，三星、SK海力士、铠侠、美光等头部企业自今年下半年起集体削减NAND晶圆产量。数据显示，三星三至四季度的投入量同比减少15%，SK海力士降幅达20%，铠侠和美光分别下调12%和18%。与此同时，为抢占AI存储市场，多家厂商将传统TLC产线改造为QLC工艺，进一步压缩常规NAND产能。
需求端则呈现爆发式增长态势。随着AI技术加速落地，数据中心对存储容量的需求激增。单台AI服务器的NAND使用量达到传统服务器的三倍，推动大容量固态硬盘需求飙升。科技企业为保障业务连续性，纷纷加大NAND配额采购力度，部分供应商明年的供货份额已被提前锁定，供需失衡直接推高市场价格。
存储模组厂商威刚科技董事长陈立白在近期活动中坦言，当前四大类存储产品集体出现缺货涨价现象，这种情况在其三十余年职业生涯中实属罕见，给行业运营带来显著挑战。
